Modélisation multi échelles de la croissance des oxydes à fortes permittivités : simulation Monte-Carlo cinétique
La miniaturisation des composants électroniques et en particulier celle d'une des "briques élémentaires" de la microélectronique, le transistor MOS, nécessite l'emploi d'un nouvel oxyde de grille en remplacement du traditionnel oxyde de silicium. En effet, cette grille tend...
| Main Author: | |
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| Language: | FRE |
| Published: |
Université Paul Sabatier - Toulouse III
2006
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00011574 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/05/84/82/PDF/These_Mazaleyrat_v3.pdf |