Contribution à l'étude expérimentale et à la simulation de la diffusion anormale du bore dans le silicium

Contribution à l'étude expérimentale et à la simulation de la diffusion anormale du bore dans le silicium

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Ce travail de thèse est consacré à l'étude de la diffusion accélérée et transitoire (TED) du bore dans le silicium. Cette diffusion est considérée comme un problème majeur pour la fabrication des jonctions ultra minces. En effet, la miniaturisation incessante des transistors MOS impose, pour le...

Full description

Bibliographic Details
Main Author:	LAMRANI, Younes
Language:	FRE
Published:	Université Paul Sabatier - Toulouse III 2005
Subjects:	[SPI:NANO] Engineering Sciences/Micro and nanotechnologies/Microelectronics Implantation ionique Préamorphisation Diffusion accélérée et transitoire Défauts étendus Interstitiels Diffusion du bore Jonctions ultra minces
Online Access:	http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00010001 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/04/83/45/PDF/tel-00010001.pdf

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