Contribution à l'étude expérimentale et à la simulation de la diffusion anormale du bore dans le silicium
Ce travail de thèse est consacré à l'étude de la diffusion accélérée et transitoire (TED) du bore dans le silicium. Cette diffusion est considérée comme un problème majeur pour la fabrication des jonctions ultra minces. En effet, la miniaturisation incessante des transistors MOS impose, pour le...
| Main Author: | |
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| Language: | FRE |
| Published: |
Université Paul Sabatier - Toulouse III
2005
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00010001 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/04/83/45/PDF/tel-00010001.pdf |