Non-linearites optiques resultant de l'excitation du defaut natif el2 dans GaAs.
Les non-linearites de l'arséniure de gallium (gaas) sont étudies a la longueur d'onde 1,06 micron en regime nanoseconde et picoseconde. En régime nanoseconde, les porteurs libres (electrons et trous) sont crees par photoionisation des centres profonds el2. Ils provoquent une variation de p...
| Main Author: | |
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| Language: | fra |
| Published: |
Université Paris Sud - Paris XI
1990
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://pastel.archives-ouvertes.fr/pastel-00713982 http://pastel.archives-ouvertes.fr/docs/00/71/39/82/PDF/DISDIER_1990.pdf |