Propiedades electrónicas de semiconductores III-V sometidos a tensión uniaxial en la dirección [111]; un enfoque según el método tight-binding: II. Antimoniuros y Fosfuros

Propiedades electrónicas de semiconductores III-V sometidos a tensión uniaxial en la dirección [111]; un enfoque según el método tight-binding: II. Antimoniuros y Fosfuros

Show other versions (1)

Empleando un esquema de cálculo tight-binding que usa una base de orbitales sp3s*d5,  se estudian propiedades de la estructura electrónica de un grupo de materiales semiconductores III-V los cuales son de interés para la tecnología de dispositivos electrónicos y optoelectrónicos.  En específico, se...

Full description

Bibliographic Details
Main Authors: J. Juan Martín Mozo, Miguel E. Mora-Ramos
Format: Article
Language:English
Published: Universidad De La Salle Bajío 2014-11-01
Series:Nova Scientia
Subjects:
tight-binding
materiales III-V
estructura electrónica
tensión uniaxial
Online Access:http://novascientia.delasalle.edu.mx/ojs/index.php/Nova/article/view/209

Similar Items

Similar Items