Propiedades electrónicas de semiconductores III-V sometidos a tensión uniaxial en la dirección [111]; un enfoque según el método tight-binding: II. Antimoniuros y Fosfuros
Empleando un esquema de cálculo tight-binding que usa una base de orbitales sp3s*d5, se estudian propiedades de la estructura electrónica de un grupo de materiales semiconductores III-V los cuales son de interés para la tecnología de dispositivos electrónicos y optoelectrónicos. En específico, se...
| Main Authors: | , |
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| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Universidad De La Salle Bajío
2014-11-01
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| Series: | Nova Scientia |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://novascientia.delasalle.edu.mx/ojs/index.php/Nova/article/view/209 |