Diseño, simulación y construcción de amplificadores de potencia en banda I con transistores de electrones de alta movilidad de nitrito de galio.
El trabajo refleja procedimientos asociados al diseño, modelación computacional y construcción de etapas de potencia en banda L empleando transistores de nitrito de Galio (HEMT GaN). En la ponencia se exponen, además, aspectos relacionados con simulación de procesos estáticos y dinámicos, acoplamien...
| Main Authors: | , |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | Spanish |
| Published: |
Departamento de Telecomunicaciones y Telemática
2019-01-01
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| Series: | Telemática |
| Online Access: | http://revistatelematica.cujae.edu.cu/index.php/tele/article/view/309 |