ANAHTAR ELEMANI OLARAK KULLANILAN BJT DEVRESİNDE ÇALIŞMA GERİLİMİNİN (DAYANMA GERİLİMİ) YÜKSELTİLMESİ

Transistör kullanılarak yapılan devre tasarımında transistörün elektriksel parametreleri dikkate alınmak durumundadır. Bu parametrelerden VCBO (Kollektör-Baz ters dayanma gerilimi) ise tasarımcıya engel oluşturan en önemli faktördür. Dayanma gerilimi 50 V olan transistör kullanılarak 80 V genliğinde...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Mustafa SÖNMEZ
Format: Article
Language:English
Published: Pamukkale University 1997-03-01
Series:Pamukkale University Journal of Engineering Sciences
Subjects:
Online Access:http://dergipark.org.tr/pajes/issue/20549/219004?publisher=pamukkale