FARKLI B+ İMPLANTASYON KOŞULLARI İÇİN RADFET’LERİN ELEKTRİKSEL KARAKTERİZASYONUNUN TCAD BENZETİM PROGRAMI İLE İNCELENMESİ
Bu çalışmada, RadFET’lerin kapı oksit tabakasına implante edilmiş B+ iyonlarının Vth üzerine etkisi, Silvaco TCAD benzetim programı ile incelenmiştir. 300 nm ve 400 nm kalınlıklarında kapı oksite sahip RadFET’ler, tüm üretim adımları TCAD’e tanıtılarak tasarlanmıştır. İmplantasyon öncesi ve sonrası...
| Main Authors: | , |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Bursa Uludag University
2017-08-01
|
| Series: | Uludağ University Journal of The Faculty of Engineering |
| Subjects: | |
| Online Access: | https://dergipark.org.tr/tr/pub/uumfd/issue/30563/335425 |
| Summary: | Bu çalışmada, RadFET’lerin kapı oksit tabakasına
implante edilmiş B+ iyonlarının Vth üzerine etkisi,
Silvaco TCAD benzetim programı ile incelenmiştir. 300 nm ve 400 nm
kalınlıklarında kapı oksite sahip RadFET’ler, tüm üretim adımları TCAD’e
tanıtılarak tasarlanmıştır. İmplantasyon öncesi ve sonrası Vth
değerleri, RadFET’lerin akım-gerilim (Id-Vg) karakteristiklerinden
elde edilmiştir. Artan implantasyon enerjisi, Vth değerlerinin
düşmesine neden olmuştur. Vth değerinin sıfır olması, daha geniş
ölçülebilir doz aralığına sahip RadFET’lerin üretilmesi için önemlidir. Ancak,
implantasyon enerjisindeki sürekli artışla birlikte Vth, p-kanalı
oluşumu nedeniyle negatif voltaj değerlerinde gözlenmemiştir. 300 nm-RadFET
için en düşük Vth değeri, 6.5×1011 iyon/cm2 bor dozu
ve 72 keV’de, -1.082 V olarak bulunmuştur. 400 nm-RadFET için bu değer, 2.3×1011
iyon/cm2 bor dozu ve 106 keV’de, -1.139 V olarak elde edilmiştir. |
|---|---|
| ISSN: | 2148-4147 2148-4155 |