Pengaruh Lama Penumbuhan Titanium Dioksida Didoping Copper Terhadap Energi Gap

Pengaruh Lama Penumbuhan Titanium Dioksida Didoping Copper Terhadap Energi Gap

Deposisi lapisan TiO2 didoping Cu telah berhasil ditumbuhkan dengan menggunakan metoda Liquid Phase Deposition (LPD). Lapisan TiO2-Cu dibuat dengan menggunakan material Ammonium hexafluorotitanate ((NH4)2TiF6), Copper (II) Nitrate hydrate (Cu(NO3)2·xH2O), dan Hexamethylen tetramine (C6H12N4). Dalam...

Full description

Bibliographic Details
Main Authors: Ade Usra Berli, Dahyunir Dahlan, Akrajas Ali Umar
Format: Article
Language:English
Published: Jurusan Fisika, FMIPA Universitas Andalas 2017-01-01
Series:JIF (Jurnal Ilmu Fisika)
Online Access:http://jif.fmipa.unand.ac.id/index.php/jif/article/view/151

Similar Items

Similar Items