Modelagem, simulação e fabricação de circuitos analógicos com transistores SOI convencionais e de canal gradual operando em temperaturas criogênicas.
Neste trabalho apresentamos a análise do comportamento analógico de transistores MOS implementados em tecnologia Silício sobre Isolante (SOI), de canal gradual (GC) e com tensão mecânica aplicada ao canal, operando em baixas temperaturas (de 380 K a 90 K), em comparação com dispositivos SOI convenci...
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| Format: | Others |
| Language: | pt |
| Published: |
Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
2008
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| Online Access: | http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-29012009-161414/ |