Estudo do comportamento elétrico de dispositivos de potência a partir da otimização dos parâmetros de processo de deposição do filme SIPOS obtido por LPCVD

Estudo do comportamento elétrico de dispositivos de potência a partir da otimização dos parâmetros de processo de deposição do filme SIPOS obtido por LPCVD

Neste trabalho estudamos o processo de deposição do filme de silício policristalino dopado com oxigênio (SIPOS) depositado por LPCVD, a partir da mistura entre a silana (SiH4) e o óxido nitroso (N2O); para a sua aplicação como camada de passivação superficial em dispositivos de potência. As caracte...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Alves, Marcelo Faustino
Other Authors: Morimoto, Nilton Itiro
Format: Others
Language:pt
Published: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP 2003
Subjects:
Diodos de potência
Filmes finos
Passivação superficial
Power devices
Power diodes
Semi condutores
Silício
Surface passivated
Voltage breakdown
Online Access:http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-23052003-084613/

Internet

http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-23052003-084613/

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