Investigação de problemas relacionados a mobilidade térmica de discordâncias utilizando aplicação de carga concentrada.
A mobilidade térmica de discordância foi investigada em silício puro, floating zone, livre de discordâncias, utilizando medidas de rosetas produzidas por indentação. A mobilidade das discordâncias produzidas em amostras cobertas com camada de óxido crescida termicamente foi comparada com a de superf...
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Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
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ndltd-usp.br-oai-teses.usp.br-tde-22052009-1337172019-05-09T20:49:22Z Investigação de problemas relacionados a mobilidade térmica de discordâncias utilizando aplicação de carga concentrada. Investigation of problems related to the thermal mobility of dislocations using indentation. Hummelgen, Ivo Alexandre Carga concentrada Discordâncias Dislocations Indentation Mobilidade térmica Thermal mobility A mobilidade térmica de discordância foi investigada em silício puro, floating zone, livre de discordâncias, utilizando medidas de rosetas produzidas por indentação. A mobilidade das discordâncias produzidas em amostras cobertas com camada de óxido crescida termicamente foi comparada com a de superfície não coberta. Um aumento da mobilidade térmica foi encontrado em amostras cobertas. Também foram obtidas informações sobre modificações na estrutura de discordâncias em rosetas relacionadas à anisotropia na dureza. Esse efeito foi encontrado como sendo dependente da temperatura. The thermal mobility of dislocations was investigated in intrinsic floating zone dislocation free silicon using indentation dislocation rosette (IDR) measurements. The mobility of introduced dislocations in samples covered with a thermal oxide layer was compared with that with a bare surface. An increase on dislocation thermal mobility was found in covered samples. Also information about dislocations pattern structure modifications on IDR related to hardness anisotropy was obtained. This effect was found to be temperature dependent. Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP Dumke, Vicente Roberto 1987-02-10 Dissertação de Mestrado application/pdf http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54132/tde-22052009-133717/ pt Liberar o conteúdo para acesso público. |
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A mobilidade térmica de discordância foi investigada em silício puro, floating zone, livre de discordâncias, utilizando medidas de rosetas produzidas por indentação. A mobilidade das discordâncias produzidas em amostras cobertas com camada de óxido crescida termicamente foi comparada com a de superfície não coberta. Um aumento da mobilidade térmica foi encontrado em amostras cobertas. Também foram obtidas informações sobre modificações na estrutura de discordâncias em rosetas relacionadas à anisotropia na dureza. Esse efeito foi encontrado como sendo dependente da temperatura. === The thermal mobility of dislocations was investigated in intrinsic floating zone dislocation free silicon using indentation dislocation rosette (IDR) measurements. The mobility of introduced dislocations in samples covered with a thermal oxide layer was compared with that with a bare surface. An increase on dislocation thermal mobility was found in covered samples. Also information about dislocations pattern structure modifications on IDR related to hardness anisotropy was obtained. This effect was found to be temperature dependent. |
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