Estudo de transistores avançados de canal tensionado.
A rápida e crescente demanda por tecnologias que permitam a redução das dimensões dos transistores planares de porta única leva a uma nova era de dispositivos tensionados mecanicamente. Os transistores de múltiplas portas (MuGFET) com canal de silício e o MOSFET planar convencional com canal de germ...
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| Other Authors: | |
| Format: | Others |
| Language: | pt |
| Published: |
Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
2014
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19052015-151837/ |