Estudo de transistores avançados de canal tensionado.

Estudo de transistores avançados de canal tensionado.

A rápida e crescente demanda por tecnologias que permitam a redução das dimensões dos transistores planares de porta única leva a uma nova era de dispositivos tensionados mecanicamente. Os transistores de múltiplas portas (MuGFET) com canal de silício e o MOSFET planar convencional com canal de germ...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Bühler, Rudolf Theoderich
Other Authors: Giacomini, Renato Camargo
Format: Others
Language:pt
Published: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP 2014
Subjects:
Analog parameters
Canal trapezoidal
Germânio
Germanium
Mobilidade
Mobility
MOSFET
MuGFET
Nanotechnology
Nanotecnologia
NBD
Numerical simulation
Parâmetros analógicos
Silício
Silicon
Simulação numérica
SOI
Strained channel
Tensionamento mecânico
Trapezoidal channel
Online Access:http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19052015-151837/

Internet

http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19052015-151837/

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