Análise do desempenho elétrico de transistores orgânicos visando a fabricação sobre substratos flexíveis.

• Main Author: Zanchin, Vinicius Ramos
• Other Authors: Fonseca, Fernando Josepetti
• Format: Others
• Language: pt
• Published: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP 2013
• Subjects: Manufacturing processes; Polímeros; Polymer; Processos de fabricação; Semiconductors; Semicondutores; Transistores; Transistors
• Online Access: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10072014-014610/

Neste trabalho, é apresentada uma metodologia para fabricação de transistores de filmes finos orgânicos sobre substratos flexíveis e resultados de simples testes de flexão desses substratos. Foram fabricados transistores de Poli(3-hexiltiofeno) (P3HT) com diversas arquiteturas não se preocupando somente com a relação W/L dessas, mas também com a facilidade de caracterizar os dispositivos em superfícies curvas. Os transistores foram fabricados sobre diversos substratos como silício, vidro e PET, para que fosse possível uma comparação de eficiência entre eles. A mobilidade do P3HT se manteve próximo de 10-2 cm2/Vs enquanto que a corrente de ION apresentou um aumento significativo, Os transistores sobre PET se mostraram resistentes à flexão, suportando raios de curvaturas de até 0,8 cm sem afetar sua resposta. Porém foi identificado que a compressão ou a tração resultam em efeitos diferentes nos transistores, principalmente sobre os eletrodos de ouro. === Presented herein is a fabrication procedure for organic thin film transistors over flexible substrates. It is also shown the results of the bending tests on these devices. Transistors of poly(3-hexyl thiophene) (P3HT), with different architectures were fabricated, aiming not only the W/L relation but also, the capability contacting bent electrodes for testes on curved surfaces. The transistors were fabricated over rigid and flexible substrates like silicon, glass and PET, allowing the efficiency comparison between them. The P3HT mobility was kept stable, around 10-2 cm2/Vs, while the ION current presented a significant change on different substrates. The transistors over PET showed to be resistance to bending, being able to bend to a curve radius of 0.8 cm without losing its transistor characteristics. Although, it was identified that the direction of bending, compression and traction, result on different effects over the transistors, especially over the golden electrodes.