Estudo do efeito de elevação atípica da transcondutância na região linear de polarização em dispositivos SOI nMOSFETS ultra-submicrométricos.
Este trabalho apresenta o estudo do efeito de elevação atípica da transcondutância na região linear de polarização devido ao efeito de corpo flutuante induzido pela porta (Gate Induced Floating Body Effect - GIFBE) de transistores da tecnologia SOI nMOSFET. Este estudo foi realizado com base em resu...
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| Format: | Others |
| Language: | pt |
| Published: |
Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
2008
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| Online Access: | http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09022009-190025/ |