Estudo da morfologia e estrutura de filmes de oxinitreto de silício (SiOxNy) obtidos pela técnica de PECVD.

Estudo da morfologia e estrutura de filmes de oxinitreto de silício (SiOxNy) obtidos pela técnica de PECVD.

Neste trabalho são apresentados resultados da caracterização estrutural e morfológica de filmes de oxinitreto de silício (SiOxNy) depositados pela técnica de deposição química a vapor assistida por plasma (PECVD) a baixa temperatura (320°C). O objetivo deste trabalho é relacionar a composição químic...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Souza, Denise Criado Pereira de
Other Authors: Pereyra, Inés
Format: Others
Language:pt
Published: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP 2007
Subjects:
Amorphous semiconductors
Dielectrics
Dielétricos (propriedades)
Dispositivos eletrônicos
Estrutura dos materiais
Materials structure
Óptica eletrônica
Opto electronic
PECVD
Semicondutores amorfos e vítreos
Silício
Silicon
Silicon nitride
Silicon oxide
Silicon oxynitride
Online Access:http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09012008-145807/

Internet

http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09012008-145807/

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