Análise do comportamento de sensores EGFET como função do tempo, iluminação, área da superfície e temperatura
O transistor de efeito de campo de porta estendida (EGFET) é um dispositivo composto por uma membrana sensível a íons e um MOSFET comercial, que pode ser aplicado para a medição do teor de íons em uma solução. O filme fino de óxido de estanho dopado com flúor (FTO) foi utilizado como a membrana s...
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| Format: | Others |
| Language: | pt |
| Published: |
Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
2011
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| Online Access: | http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/59/59135/tde-04042012-103423/ |