Caracterização de filmes finos de TiO2 obtidos por deposição química em fase vapor
Filmes finos de TiO2 foram crescidos sobre silício (100) através do processo de deposição química de organometálicos em fase vapor (MOCVD). Os filmes foram crescidos a 400, 500, 600 e 700ºC em um equipamento horizontal tradicional. Tetraisopropóxido de titânio foi utilizado como fonte tanto de titân...
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| Format: | Others |
| Language: | pt |
| Published: |
Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
2015
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| Online Access: | http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/85/85134/tde-02042015-101635/ |