Réalisation d'un transistor à effet de champ à grille isolée sur arséniure de gallium
Ce travail porte sur un nouveau diélectrique utilisé sur l'arséniure de gallium (GaAs) pour réaliser des transistors à effet de champ à grille isolée (Métal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor, MISFET). Ce diélectrique est de l'aluminium-arséniure de gallium (Al[indice infér...
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| Language: | French |
| Published: |
Université de Sherbrooke
1996
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| Online Access: | http://savoirs.usherbrooke.ca/handle/11143/982 |