| Summary: | Ce travail porte sur l'étude de l'interdiffusion de puits quantiques InGaAs/InP et InGaAsP induite par implantation ionique à basse énergie avec recuit thermique. Plus spécifiquement, nous avons examiné la résolution spatiale du procédé et tenté de quantifier le confinement quantique dans le plan du puits quantique qu'il est possible d'obtenir en interdiffusant sélectivement des régions d'une structure à puits quantique. De plus, nous avons étudié l'effet de l'interdiffusion sur les propriétés de transport électrique d'un puits quantique. La fabrication de réseaux de lignes interdiffusées séparées par un intervalle variable a permis, à l'aide de mesures de photoluminescence, d'évaluer la diffusion latérale des défauts responsables de l'interdiffusion lors du recuit. Nous avons pu montrer une dépendance entre la longueur de diffusion de ces défauts et le degré d'interdiffusion d'un puits quantique. De plus, nous avons été en mesure d'estimer le confinement quantique qui résulte de l'interdiffusion sélective haute résolution. Des mesures de transport ont été effectuées sur une structure à puits quantique de référence et une structure à puits quantique interdiffusé. Nous avons été en mesure d'identifier une diminution de la mobilité entre 20% à 50% selon la densité électronique dans le puits. Des résultats similaires ont été obtenus pour la mobilité quantique.
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