Effet de l'irradiation par des particules alpha sur l'arséniure de gallium

• Main Author: Sellami, Lamia
• Other Authors: Aubin, Marcel
• Language: French
• Published: Université de Sherbrooke 1999
• Online Access: http://savoirs.usherbrooke.ca/handle/11143/4452

Dans ce travail, on présentera l'étude de l'effet de l'irradiation par les particules alpha énergétiques sur l'arséniure de gallium (GaAs). Dans ce but, on a exposé des échantillons dopés 'n' au silicium avec des densités de 10 [exposant] 16 Si/cm3 et de 10 15 Si/cm3 ainsi que des échantillons non dopés, à des fluences (particule/cm2) allant de 10 [exposant] 10 à 10 [exposant] 16 alpha/cm2. On a entrepris, pour caractériser cet effet d'irradiation, des mesures optiques de photoluminescence et des mesures électriques d'effet Hall. Les mesures optiques de photoluminescence effectuées sur les échantillons dopés 'n' au silicium avant et après irradiation montrent que cette dernière introduit deux défauts accepteurs, à savoir le V [indice] Ga (lacune de gallium) et le Si [indice] As (silicium sur le site d'arsenic). Les mêmes mesures effectuées sur les échantillons non dopés prouvent que l'irradiation donne naissance à l'impureté de germanium. Celle-ci provient de la transmutation nucléaire du gallium en germanium. Les mesures électriques d'effet Hall, effectuées sur les échantillons de type n ont mis en évidence une augmentation de densité de donneurs peu profonds. L'origine de cette augmentation est attribuée à l'effet nucléaire de l'irradiation. Ces mêmes mesures ont montré une inversion du type de dopage pour l'échantillon dope n avec une densité de 10 [exposant] 16 Si/cm3, suite à son irradiation avec une fluence de 10 [exposant] 14 alpha/cm2.