Études de la dynamique de la relaxation des porteurs dans des structures à puits quantiques pour des applications aux photodétecteurs
Ce mémoire présente les résultats d'une étude de la dynamique de la relaxation de l'énergie des porteurs dans des structures à puits quantiques multiples d'AlGaAs/GaAs pour des applications aux photodétecteurs infrarouges. Nous avons étudié trois structures dont la géométrie des puits...
| Main Author: | |
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| Other Authors: | |
| Language: | French |
| Published: |
Université de Sherbrooke
1997
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| Online Access: | http://savoirs.usherbrooke.ca/handle/11143/4349 |
| Summary: | Ce mémoire présente les résultats d'une étude de la dynamique de la relaxation de l'énergie des porteurs dans des structures à puits quantiques multiples d'AlGaAs/GaAs pour des applications aux photodétecteurs infrarouges. Nous avons étudié trois structures dont la géométrie des puits et barrières est légèrement différente. Les échantillons se distinguent par l'écart en énergie existant entre le second niveau de confinement des électrons et la hauteur de la barrière. Ce second niveau est dit lié pour un échantillon; il est quasi-lié pour le second et le dernier échantillon ne contient qu'un état lié (le second niveau se situe dans le continuum des états de la barrière et est donc nommé niveau non-lié ou libre). La caractérisation des temps de relaxation inter-sous-bandes [zeta][indices inférieurs 2[rarr]1]] et des temps de recombinaison des porteurs est effectuée a l'aide de techniques de photoluminescence résolue en temps et d'absorption transitoire. (Résumé abrégé par UMI.) |
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