Développement d'un procédé de fabrication de transistors en technologie MESFET

• Main Author: Langlois, Pierre L
• Other Authors: Beauvais, Jacques
• Language: French
• Published: Université de Sherbrooke 2004
• Online Access: http://savoirs.usherbrooke.ca/handle/11143/1232

Ce mémoire de maîtrise en génie électrique fait état de travaux de recherche appliquée en micro-électronique et plus spécifiquement du développement d'un procédé de fabrication de transistors à hautes fréquences réalisés dans des installations universitaires, afin d'y permettre éventuellement la réalisation de circuits intégrés millimétriques et micro-ondes (MMIC) plus complexes à partir de ces composants actifs de base. Après plusieurs ajustements des procédés de fabrication, des prototypes de transistors MESFET aux caractéristiques DC représentatives de cette technologie ont été fabriqués. Par contre, les tests en hautes fréquences indiquent des fréquences de coupures et un gain trop faibles pour ces dispositifs. Néanmoins, ces premiers prototypes serviront de point de départ pour une optimisation géométrique et physique de ces transistors MESFET. De plus, le développement de nouvelles méthodes connexes et l'expérience acquise lors du développement de procédé facilitera l'étape ultérieure entreprise dans ce domaine de recherche soit le développement du procédé pour transistors HEMT.