| Summary: | Le présent mémoire est réalisé pour refléter, le mieux possible, tous les aspects physiques, électroniques, et technologiques d’une structure MESFET, et leurs impact sur le comportement du bruit dans ce genre de transistor. Le chapitre 1 dresse un rappel sur la définition d’un transistor MESFET, les caractéristiques et les propriétés de telles structures et des matériaux utilisés, et enfin, les procédés technologiques de fabrication. Le chapitre 2 est consacré entièrement au phénomène de bruit dans les circuits MESFET; il comprend en particulier la partie d’analyse théorique qui sera utilisée dans le chapitre 4 pour l’extraction des paramètres de bruit. Un rappel des modèles physiques et numériques de circuits MESFET les plus utilisés par les programmes CAO est présenté à travers le chapitre 3. Toute la partie réalisation des travaux sujets de ce mémoire est résumée dans le chapitre 4 qui présente en particulier la méthode utilisée pour l’extraction des paramètres de bruit, et l’utilisation de cette dernière pour une étude paramétrique afin de bien comprendre leur influence sur le comportement du bruit.
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