Wachstum und Charakterisierung von GaInNAs-basierenden Halbleiterstrukturen für Laseranwendungen in der optischen Telekommunikation
Im Rahmen dieser Arbeit wurden mit Molekularstrahlepitaxie GaInNAs-Strukturen für mögliche Anwendungen in der Telekommunikation als GaAs-basierende Alternative für herkömmliche Laser auf InP-Substrat hergestellt und untersucht. Zunächst wurden durch Optimierung der Substrattemperaturmessung und RF-P...
| Main Author: | |
|---|---|
| Format: | Doctoral Thesis |
| Language: | deu |
| Published: |
2010
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://opus.bibliothek.uni-wuerzburg.de/frontdoor/index/index/docId/6578 http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bvb:20-opus-77538 https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:bvb:20-opus-77538 https://opus.bibliothek.uni-wuerzburg.de/files/6578/BispingDiss.pdf |