Étude en dynamique moléculaire par approximation des liaisons fortes de l'influence des défauts ponctuels dans la relaxation du silicium amorphe

Mémoire numérisé par la Division de la gestion de documents et des archives de l'Université de Montréal.

Bibliographic Details
Main Author:	Urli, Xavier
Other Authors:	Lewis, Laurent J.
Language:	en
Published:	2012
Subjects:	Silicium amorphe Amorphous silicon Approximation des liaisons fortes Tight-binding Défauts ponctuels Point defect Réseaux aléatoires continus Continuous random network Lacunes Vacancy Coordination Volume de Voronoï Voronoi volume Charge Dynamique moléculaire Molecular dynamics
Online Access:	http://hdl.handle.net/1866/8030

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Étude en dynamique moléculaire par approximation des liaisons fortes de l'influence des défauts ponctuels dans la relaxation du silicium amorphe

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