Étude en dynamique moléculaire par approximation des liaisons fortes de l'influence des défauts ponctuels dans la relaxation du silicium amorphe

Étude en dynamique moléculaire par approximation des liaisons fortes de l'influence des défauts ponctuels dans la relaxation du silicium amorphe

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Mémoire numérisé par la Division de la gestion de documents et des archives de l'Université de Montréal.

Bibliographic Details
Main Author: Urli, Xavier
Other Authors: Lewis, Laurent J.
Language:en
Published: 2012
Subjects:
Silicium amorphe
Amorphous silicon
Approximation des liaisons fortes
Tight-binding
Défauts ponctuels
Point defect
Réseaux aléatoires continus
Continuous random network
Lacunes
Vacancy
Coordination
Volume de Voronoï
Voronoi volume
Charge
Dynamique moléculaire
Molecular dynamics
Online Access:http://hdl.handle.net/1866/8030

Internet

http://hdl.handle.net/1866/8030

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