Étude spectroscopique des états localisés dans la bande interdite de composés GaAs₁₋ₓ Nₓ (x<0.1%)

Étude spectroscopique des états localisés dans la bande interdite de composés GaAs₁₋ₓ Nₓ (x<0.1%)

Bibliographic Details
Main Author: Yaïche, Zakia
Other Authors: Leonelli, Richard
Language:fra
Published: 2016
Subjects:
Arsenic de gallium
Semiconducteurs III-V-N
Photoluminessence
MOCVD
Exciton lié
Online Access:http://hdl.handle.net/1866/14766

Internet

http://hdl.handle.net/1866/14766

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