Van der Waals-terminierte Silizium (111) Oberflächen und Grenzflächen
Das Ziel dieser Arbeit ist die Umsetzung des Konzeptes der Quasi-van der Waals-Epitaxie als eine neue Perspektive zur Integration reaktiver und gitterfehlangepasster Materialien in die Silizium-Technologie. Die experimentelle Charakterisierung dieses Ansatzes erfolgt in zwei aufeinander aufbauenden...
| Main Author: | |
|---|---|
| Format: | Others |
| Language: | German de |
| Published: |
2005
|
| Online Access: | http://tuprints.ulb.tu-darmstadt.de/597/1/Dissertation_Fritsche_Rainer.pdf Fritsche, Rainer <http://tuprints.ulb.tu-darmstadt.de/view/person/Fritsche=3ARainer=3A=3A.html> : Van der Waals-terminierte Silizium (111) Oberflächen und Grenzflächen. [Online-Edition] Technische Universität, Darmstadt [Ph.D. Thesis], (2005) |
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http://tuprints.ulb.tu-darmstadt.de/597/1/Dissertation_Fritsche_Rainer.pdfFritsche, Rainer <http://tuprints.ulb.tu-darmstadt.de/view/person/Fritsche=3ARainer=3A=3A.html> : Van der Waals-terminierte Silizium (111) Oberflächen und Grenzflächen. [Online-Edition] Technische Universität, Darmstadt [Ph.D. Thesis], (2005)