Gate-Last-Prozessintegration und elektrische Bewertung von High-k-Dielektrika und Metall-Elektroden in MOS-Bauelementen
In der vorliegenden Arbeit wird ein Beitrag für die Weiterentwicklung der siliziumbasierten CMOS-Technologie geleistet. Mit zunehmender Miniaturisierung mikroelektronischer Schaltungen, einer der Haupttriebfedern der technologischen Fortschritte des zwanzigsten Jahrhunderts, stößt das Materialsystem...