Simulation und vergleichende elektrische Bewertung von planaren und 3D-MOS-Strukturen mit high-k Gate-Dielektrika
Die Ziele dieser Arbeit waren die Computermodellierung und simulative Bewertung von elektrisch gemessenen MOS-Bauelementen mit kristallinen high-k-Dielektrika. Mit Hilfe der Computermodelle sollten die Messergebnisse dieser neuartigen Bauelemente überprüft werden, da diese am IHT erstmalig gefertigt...
| Main Author: | |
|---|---|
| Format: | Others |
| Language: | German de |
| Published: |
2009
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| Online Access: | https://tuprints.ulb.tu-darmstadt.de/1978/1/dissertation.pdf Zaunert, Florian <http://tuprints.ulb.tu-darmstadt.de/view/person/Zaunert=3AFlorian=3A=3A.html> (2009): Simulation und vergleichende elektrische Bewertung von planaren und 3D-MOS-Strukturen mit high-k Gate-Dielektrika.Darmstadt, Technische Universität, [Ph.D. Thesis] |