Contribution au BIST in-situ : Intégration sur silicium d’un banc de caractérisation en bruit en bande D
Les progrès des technologies Silicium permettent aujourd’hui de concevoir des circuits électroniques fonctionnant en bande de fréquence millimétrique, grâce à des composants de plus en plus performants. Ces évolutions sont possibles grâce aux performances des transistors, dont les fréquences de fonc...
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| Language: | fr |
| Published: |
2018
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| Online Access: | http://www.theses.fr/2018LIL1I010/document |