Etude statistique et modélisation de la dégradation NBTI pour les technologies CMOS FDSOI et BULK.
L’industrie microélectronique arrive à concevoir des transistors atteignant dimensions de l’ordre de la dizaine de nanomètres. Et ce faisant elle tend atteindre ses limites en terme de réduction des dimensions des transistors CMOS. Or à ces dimensions, la fiabilité et la variabilité des dispositifs...
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| Language: | fr |
| Published: |
2018
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| Online Access: | http://www.theses.fr/2018GREAT068/document |