Caractérisation électrique et modélisation de la dynamique de commutation résistive dans des mémoires OxRAM à base de HfO2
Les mémoires résistives à base d’oxyde OxRAM sont une technologie de mémoire non-volatile dite émergente, au même titre que les mémoires à changement de phase (PCRAM) ou les mémoires magnétorésistives (MRAM). A l’origine les OxRAM étaient très étudiées pour concurrencer les mémoires Flash, dont le f...
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| Language: | fr |
| Published: |
2018
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| Online Access: | http://www.theses.fr/2018GREAT035/document |