Etude des processus bi-électroniques induits par impact d'ions sur des cibles atomiques

La compréhension des processus électroniques engendrés au cours des collisions atomiques ou moléculaires est essentielle au niveau fondamental mais aussi en raison des besoins d’informations quantitatives sur ces processus de plusieurs domaines d’application, notamment la physique médicale et la phy...

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Main Author: Ibaaz, Aicha
Other Authors: Paris 6
Language:fr
Published: 2017
Subjects:
530
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spelling ndltd-theses.fr-2017PA0663602018-03-31T04:22:03Z Etude des processus bi-électroniques induits par impact d'ions sur des cibles atomiques Study of the bi-electronic processes induced by impact of ions on atomic targets Collisions atomiques Processus électroniques Sections efficaces Corrélation électronique Approche semi-Classique non perturbative Dynamique collisionnelle Atomic collisions Electronic processes Collisional dynamics 530 La compréhension des processus électroniques engendrés au cours des collisions atomiques ou moléculaires est essentielle au niveau fondamental mais aussi en raison des besoins d’informations quantitatives sur ces processus de plusieurs domaines d’application, notamment la physique médicale et la physique des plasmas. Notre objectif est de fournir une meilleure description de ces processus. Dans le cadre de la thèse, nous avons modélisé les processus électroniques ayant lieu au cours des collisions entre des ions nus et l’atome d’hélium, Aq+-He (2≤q≤10). Cette étude est effectuée dans la gamme des énergies intermédiaires (0.25-625 keV/u) en adoptant le modèle semi-classique non perturbatif de close coupling. Un intérêt particulier est porté sur l’étude des processus de simple et de double capture vu leur grande importance dans cette gamme des vitesses. Plus précisément, nous avons analysé la double capture en détail, en séparant celle peuplant les états liés à celle qui concerne les états auto-ionisants. Cette dernière est particulièrement complexe à modéliser car elle nécessite une bonne description des états doublement excités (au-delà des deux premiers seuils d’ionisation dans notre cas), difficile à implémenter dans une approche dépendante du temps non perturbative comme la nôtre. En analysant les sections efficaces de ces deux processus pour l’ensemble des systèmes étudiés, et en les comparant systématiquement aux données expérimentales et théoriques existantes, nous avons pu extraire un comportement général reliant les processus électroniques les plus favorables à la charge et à la vitesse du projectile considérée. The understanding of the electronic processes occurring during atomic and molecular collisions concerns the fundamental level but also the needs for quantitative information on these processes, requested by several fields of application, in particular medical physics and plasma physics. Our goal is to provide a better description of these processes. In the framework of the thesis, we have modelled the electronic processes taking place during the collisions between bare ions and the helium atom, Aq +-He (2≤q≤10). This study is carried out in the range of intermediate energies (0.25-625 keV/u), adopting the semi-classical non-perturbative close coupling approach. A particular interest is paid to the single and double capture processes because of their great importance in this energy range. More precisely, we have analysed the double capture processes, splitting the contributions of double capture to bound states and to auto-ionizing states. This latter is particularly complex to describe since it requires a good description of doubly-excited states (beyond the two first thresholds in our study), difficult to implement in time-dependent coupled-channel approaches as ours. By analysing the cross sections of these two processes for all the systems studied and comparing them to available experimental and theoretical data, we were able to extract a general behaviour linking the most favourable electronic processes to the projectile charge and velocity. Electronic Thesis or Dissertation Text fr http://www.theses.fr/2017PA066360/document Ibaaz, Aicha 2017-09-28 Paris 6 Dubois, Alain
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topic Collisions atomiques
Processus électroniques
Sections efficaces
Corrélation électronique
Approche semi-Classique non perturbative
Dynamique collisionnelle
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Ibaaz, Aicha
Etude des processus bi-électroniques induits par impact d'ions sur des cibles atomiques
description La compréhension des processus électroniques engendrés au cours des collisions atomiques ou moléculaires est essentielle au niveau fondamental mais aussi en raison des besoins d’informations quantitatives sur ces processus de plusieurs domaines d’application, notamment la physique médicale et la physique des plasmas. Notre objectif est de fournir une meilleure description de ces processus. Dans le cadre de la thèse, nous avons modélisé les processus électroniques ayant lieu au cours des collisions entre des ions nus et l’atome d’hélium, Aq+-He (2≤q≤10). Cette étude est effectuée dans la gamme des énergies intermédiaires (0.25-625 keV/u) en adoptant le modèle semi-classique non perturbatif de close coupling. Un intérêt particulier est porté sur l’étude des processus de simple et de double capture vu leur grande importance dans cette gamme des vitesses. Plus précisément, nous avons analysé la double capture en détail, en séparant celle peuplant les états liés à celle qui concerne les états auto-ionisants. Cette dernière est particulièrement complexe à modéliser car elle nécessite une bonne description des états doublement excités (au-delà des deux premiers seuils d’ionisation dans notre cas), difficile à implémenter dans une approche dépendante du temps non perturbative comme la nôtre. En analysant les sections efficaces de ces deux processus pour l’ensemble des systèmes étudiés, et en les comparant systématiquement aux données expérimentales et théoriques existantes, nous avons pu extraire un comportement général reliant les processus électroniques les plus favorables à la charge et à la vitesse du projectile considérée. === The understanding of the electronic processes occurring during atomic and molecular collisions concerns the fundamental level but also the needs for quantitative information on these processes, requested by several fields of application, in particular medical physics and plasma physics. Our goal is to provide a better description of these processes. In the framework of the thesis, we have modelled the electronic processes taking place during the collisions between bare ions and the helium atom, Aq +-He (2≤q≤10). This study is carried out in the range of intermediate energies (0.25-625 keV/u), adopting the semi-classical non-perturbative close coupling approach. A particular interest is paid to the single and double capture processes because of their great importance in this energy range. More precisely, we have analysed the double capture processes, splitting the contributions of double capture to bound states and to auto-ionizing states. This latter is particularly complex to describe since it requires a good description of doubly-excited states (beyond the two first thresholds in our study), difficult to implement in time-dependent coupled-channel approaches as ours. By analysing the cross sections of these two processes for all the systems studied and comparing them to available experimental and theoretical data, we were able to extract a general behaviour linking the most favourable electronic processes to the projectile charge and velocity.
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