Fabrication et caractérisation de MOSFET III-V à faible bande interdite et canal ultra mince

Fabrication et caractérisation de MOSFET III-V à faible bande interdite et canal ultra mince

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Les MOSFETs ultra-thin body UTB ont été fabriqués avec une technologie auto-alignée. Le canal conducteur est constitué d’InGaAs à 75% de taux d’indium ou d’un composite InAs/In0,53Ga0,47As. Une fine couche d'InP (3 nm) a été insérée entre le canal et l'oxyde, afin d’éloigner les défauts de...

Full description

Bibliographic Details
Main Author:	Ridaoui, Mohamed
Other Authors:	Lille 1
Language:	fr
Published:	2017
Subjects:	Alliage Ni/III-V Transistors auto-Alignés Densité d’état d’interface 621.381 528
Online Access:	http://www.theses.fr/2017LIL10047/document

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