Low temperature epitaxy of Si, Ge, and Sn based alloys
Les matériaux (Si)GeSn sont très prometteurs pour les composants optiques sur puce fonctionnant dans le Moyen Infra-Rouge (MIR). Lors de cette thèse de doctorat, j’ai étudié le Dépôt Chimique en Phase Vapeur d’alliages GeSn. L’épitaxie basse température de Ge pur, de Ge dopé phosphore et d’alliages...
| Main Author: | |
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| Language: | en |
| Published: |
2017
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| Online Access: | http://www.theses.fr/2017GREAY058/document |