Implantation ionique d'hydrogène et d'hélium à basse énergie dans le silicium monocristallin
L'implantation d'hydrogène à forte dose est utilisée dans le procédé Smart Cut(tm) afin de transférer des couches de silicium assez épaisses (>200 nm) sur un autre substrat. En utilisant l'implantation à très basse énergie, la co-implantation d'H et d'He pour des doses to...
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| Language: | fr |
| Published: |
2016
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.theses.fr/2016TOU30018/document |