Dispositifs intersousbandes à base de nitrures d’éléments III du proche infrarouge au térahertz

Les nitrures d’éléments III (III-N) sont des matériaux prometteurs pour la réalisation de dispositifs intersousbandes (ISB) : leur discontinuité de potentiel élevée en bande de conduction (1.75 eV) leur permet de couvrir une grande gamme de longueur d’onde du proche infrarouge jusqu’au Térahertz (TH...

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Bibliographic Details
Main Author: Quach, Patrick
Other Authors: Université Paris-Saclay (ComUE)
Language:fr
Published: 2016
Subjects:
GaN
ZnO
THz
Qcd
Qcl
Online Access:http://www.theses.fr/2016SACLS133