Conception, optimisation et caractérisation d’un transistor à effet de champ haute tension en Carbure de Silicium
La thèse intitulée "Conception, caractérisation et optimisation d’un transistor à effet de champ haute tension en Carbure de Silicium (SiC) et de leur diode associée", s’est déroulée au sein du laboratoire AMPERE sous la direction du Prof. D. PLANSON. Des premiers démonstrateurs de JFET on...
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| Language: | fr |
| Published: |
2016
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| Online Access: | http://www.theses.fr/2016LYSEI136/document |