Étude de l’Epitaxie Localisée de GaN par Transport Vapeur / Liquide / Solide (VLS)
L'objectif de ce travail a été de comprendre les mécanismes menant à la formation de Nitrure de Gallium monocristallin ( GaN ) sur substrat de silicium par croissance cristalline en configuration Vapeur-Liquide-Solide (VLS), à partir d'une phase liquide de gallium, dans la perspective d�...
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| Language: | fr |
| Published: |
2016
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.theses.fr/2016LYSE1102/document |