Epitaxie en phase vapeur aux organométalliques et caractérisation de semi-conducteur III-As sur substrat silicium dans une plateforme microélectronique

Epitaxie en phase vapeur aux organométalliques et caractérisation de semi-conducteur III-As sur substrat silicium dans une plateforme microélectronique

Les dispositifs microélectroniques réalisés en technologie silicium possèdent des limitations intrinsèques liées à ce matériau et ses dérivés (Si, SiO2, SiGe…). Une des solutions pour proposer à l’avenir des performances accrues passe par l’introduction de nouveaux matériaux en technologie silicium....

Full description

Bibliographic Details
Main Author:	Cipro, Romain
Other Authors:	Grenoble Alpes
Language:	fr
Published:	2016
Subjects:	Hétéroépitaxie Arseniures Iii-V Parois d'antiphase Puits quantiques Mocvd Heteroepitaxy Arsenides Antiphase boundaries Quantum wells 620
Online Access:	http://www.theses.fr/2016GREAT049/document

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