Etude des mécanismes de formation des contacts ohmiques pour des transistors de puissance sur Nitrure de Gallium
Cette thèse s’inscrit dans le cadre du développement d’une filière de transistors de puissance à base de nitrure de Gallium au CEA-LETI. Ces transistors, en particulier les HEMT utilisant l’hétérostructure AlGaN/GaN, présentent des propriétés très utiles pour les applications de puissance. L’essor d...
| Main Author: | |
|---|---|
| Other Authors: | |
| Language: | fr |
| Published: |
2016
|
| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.theses.fr/2016GREAI060/document |