Modélisation compacte et conception de circuit à base de jonction tunnel ferroélectrique et de jonction tunnel magnétique exploitant le transfert de spin assisté par effet Hall de spin
Les mémoires non-volatiles (MNV) sont l'objet d'un effort de recherche croissant du fait de leur capacité à limiter la consommation statique, qui obère habituellement la réduction des dimensions dans la technologie CMOS. Dans ce contexte, cette thèse aborde plus spécifiquement deux technol...
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| Language: | en |
| Published: |
2015
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| Online Access: | http://www.theses.fr/2015SACLS036/document |