Ingénierie des défauts cristallins pour l’obtention de GaN semi-polaire hétéroépitaxié de haute qualité en vue d’applications optoélectroniques
Les matériaux semi-conducteurs III-N sont à l’origine d’une véritable révolution technologique. Mais malgré l’effervescence autour de ces sources lumineuses, leurs performances dans le vert et l’UV demeurent limitées. La principale raison à cela est l’orientation cristalline (0001)III-N (dite polair...
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| Language: | fr |
| Published: |
2015
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| Online Access: | http://www.theses.fr/2015NICE4094 |