Transistor en couches minces avec canal en oxyde d’indium de gallium et de zinc : matériaux, procédés, dispositifs

Transistor en couches minces avec canal en oxyde d’indium de gallium et de zinc : matériaux, procédés, dispositifs

Pour réaliser des fonctions électroniques sur support souple, le transistor en couches minces (TFT) est indispensable. Cette thèse a pour objectif d’approfondir les connaissances sur ces dispositifs.L’état de l’art est synthétisé dans le chapitre 1. Cette partie présente tout d’abord les TFT et just...

Full description

Bibliographic Details
Main Author:	Talagrand, Clément
Other Authors:	Saint-Etienne, EMSE
Language:	fr
Published:	2015
Subjects:	Oxyde d’Indium Gallium Zinc Transitor en couches minces Ellipsométrie spectroscopique Impression jet d’encre Indium gallium zinc oxide Thin-film transistor Spectroscopic ellipsometry Inkjet printing
Online Access:	http://www.theses.fr/2015EMSE0797/document

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