Design, fabrication and characterization of a VMOS monolithic integrated optical detector

• Main Author: Vafaei, Raha
• Other Authors: Grenoble
• Language: en
• Published: 2014
• Subjects: Modélisation et conception de photodétecteur; Intégration monolithique fonctionnelle bas coût; Isolation et transmission par voie optique; La technologie de FET vertical; Photodetector modelling and design; Low cost monolithic integration; Optical insulation; Galvanic isolation; Vertical FET technology; 620
• Online Access: http://www.theses.fr/2014GRENT120/document

Les travaux présentés dans ce manuscrit traite de l'intégration monolithiqued'une unité d'isolement galvanique optique à l'intérieur de la structure d'un transistor depuissance vertical à ffet de champ 600V. L'unité d'isolement galvanique optique est unphotodétecteur qui est responsable du transfert du signal de commande de parti une unitéde commande externe à le transistor de puissance. L'énergie nécessaire pour commuter ledispositif de puissance est fournie au moyen d'un TIA, suivie d'une commande de grille.Le mémoire de thèse se structure en quatre chapitres équivalents: Introduction et motivation:l'isolement glavanic intégrée pour les dispositifs de puissance, photodiodes intégréscompatibles (JVP) pour les interrupteurs de puissance: Modélisation et conception, IPDfabrication et la caractérisation, et les conclusions et les travaux futurs. Les résultats de cestravaux de recherche sont intéressants pour un large spectre d'applications, spécialementpour les fonctions d'alimentation entièrement intégrés avec et coût de fabrication réduitet des solutions fiables, de haut niveau galvaniques isolement qui sont compacts et rentable. === The work presented in this PhD manuscript deals with the monolithic integrationof an optical galvanic isolation unit within the vertical FET structure of a 600Vpower transistor. The optical galvanic isolation unit is a photodetector that is responsiblefor transferring the gating information signal from an external control unit to the powerswitch. The necessary energy to switch the power device is provided by means of a TIAfollowed by a gate driver. This document has four chapters: introduction and motivation:Integrated glavanic isolation for power devices, Compatible integrated phootdiodes (IPDs)for power switches: Modeling and design, IPD fabrication and characterization, and conclusionsand future work. The results of this research work are interesting for a wide rangeof applications specially as the power electronic community strives for a fully integratedpower function with lower implementation costs and reliable, high level galvanic isolationsolutions that are compact and cost effective.