| Summary: | L’architecture FDSOI (silicium sur isolant totalement déserté) permet une amélioration significative du comportement électrostatique des transistors MOSFETs pour les technologies avancées et est employée industriellement à partir du noeud 28 nm.L’implémentation de protections contre les décharges électrostatiques (ESD pour« Electro Static Discharge ») dans ces technologies reste un défi. Alors que l’approche standard repose sur l’hybridation du substrat SOI (gravure de l’oxyde enterré : BOX)permettant de fabriquer des dispositifs de puissance verticaux, nous nous intéressons ici à des structures dans lesquelles la conduction s’effectue latéralement, dans le film de silicium. Dans ces travaux, des approches alternatives utilisant des dispositifs innovants(Z²-FET et BBC-T) sont proposées. Leurs caractéristiques statiques, quasi-statiques et transitoires sont étudiées, par le biais de simulations TCAD et de caractérisations électriques. === FDSOI architecture (Fully Depleted Silicon On Insulator) allows a significantimprovement of the electrostatic behavior of the MOSFETs transistors for the advancedtechnologies. It is industrially employed from the 28 nm node. However, theimplementation of ESD (Electrostatic Discharges) protections in these technologies isstill a challenge. While the standard approach relies on SOI substrate hybridization (byetching the BOX (buried oxide)), allowing to fabricate vertical power devices, we focushere on structures where the current flows laterally, in the silicon film. In this work,alternative approaches using innovative devices (Z²-FET and BBC-T) are proposed. Theirstatic, quasi-static and transient characteristics are studied in detail, with TCADsimulations and electrical characterizations.
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